“汉芯事件”背后的始作俑者陈进，今何在？

陈进成为了全国集成电路领域炙手可热的大人物。
有人预测，用不了几年他可能就能坐上中国工程院院士的位子。
可是事情真的有这么容易吗？
短短不到两年的时间，陈进凭一己之力就让中国芯片成为了国际先进？
这个速度别说令中国人感到惊讶，就连英特尔的工程师都觉得“快得不可思议”。
果然，在“汉芯一号”发布后的第3年，终于有人看不下去了。
一位神秘人物在清华大学的BBS上发布了一个名为《汉芯黑幕》的帖子。
帖子毫不客气地揭露“汉芯”的发明人陈进，称其在研制过程中完全弄虚作假，骗取了国家上亿元的经费。
图：陈进
随后，敏感的媒体飞速介入调查，将陈进的罪行扒了个干净，“汉芯”事件的真相才公之于众。
…
先是陈进其人，他的履历被发现有多处不实。
虽然学历上没有造假，但是陈进还是动了不少的手脚。
他在德州大学奥斯汀分校的毕业论文是《模拟和混合电路的故障模型和测试技术》。
显然，陈进的研究方向是集成电路测试技术，与集成电路设计是两个不同的领域。
他后来在摩托罗拉担任的职务是“高级电子工程师”。
可在给上海交大的简历中，陈进宣称自己担任的是半导体总部的高级主任工程师，从事芯片设计工作。
这份虚假的简历不仅没有受到质疑，反而因此对陈进委以重用。
“汉芯”实验室成立后，陈进当然知道自己没有能力设计DSP芯片。